Future-Net - SAMSUNG 970 EVO PLUS M.2 2280 2TB PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 V-NAND 3-bit MLC Internal Solid State Drive (SSD)

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Informations sur le produit

SAMSUNG 970 EVO PLUS M.2 2280 2TB PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3 V-NAND 3-bit MLC Internal Solid State Drive (SSD)

Manufacturier

Samsung

Part Number (p/n)

MZ-V7S2T0B/AM

SKU Future-net

DRI-SA-MZV7S2T0

Catégorie

Stockage - Disques SSD - M.2

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Disponibilité

Entrepôt Future-net

Toronto

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341

General Feature

Application Client PCs
Capacity 2,000GB (1GB=1 Billion byte by IDEMA) * Actual usable capacity may be less (due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise)
Form Factor M.2 (2280)
Interface PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
Dimension (WxHxD) 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
Weight Max 8.0 g Weight
Storage Memory Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controller Samsung Phoenix Controller
Cache Memory Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM

TRIM Support Supported
S.M.A.R.T Support Supported
GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
Encryption Support AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
WWN Support Not supported
Device Sleep Mode Support Yes

Sequential Read Up to 3,500 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration
Sequential Write Up to 3,300 MB/s * Performance may vary based on system hardware & configuration
Random Read (4KB, QD32) Up to 620,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
Random Write (4KB, QD32) Up to 560,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
Random Read (4KB, QD1) Up to 19,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration
Random Write (4KB, QD1) Up to 62,000 IOPS * Performance may vary based on system hardware & configuration

Average Power Consumption (system level) *Average: 6 W*Maximum: 9 W (Burst mode)* Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
Power consumption (Idle) Max. 30 mW * Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
Allowable Voltage 3.3 V ± 5 % Allowable voltage
Reliability (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Operating Temperature 0 - 70 ? Operating Temperature
Shock 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)

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